В чем разница между NAND и V-NAND?

NAND и V-NAND – оба типа являются флэш-памятью, которая является классом энергонезависимой памяти, которая сохраняет данные даже в отсутствие электрического тока. Флэш-память очень портативная и в сочетании с другими характеристиками долговечности и скорости, она идеально подходит для хранения данных, что требуется для SSD или USB-флэш-накопителей. Флэш-память состоит из массива ячеек, которые записывают 1 или несколько бит (0 или 1). Каждая ячейка содержит транзисторы с плавающим затвором, которые захватывают электрический заряд (указывая 1 или 0). Одноуровневые ячейки (SLC) хранят один бит, многоуровневые ячейки (MLC) хранят два, трехуровневые ячейки (TLC) хранят три, а четырехуровневые ячейки (QLC) хранят четыре бита.
С увеличением уровней происходит уменьшение стоимости, но также и уменьшение количества циклов программы/стирания.

Существует два типа флэш-памяти: NOR и NAND, относящиеся к логическим элементам, используемым в ячейках памяти. Преимущество флэш-памяти NOR заключается в возможности чтения, записи и стирания каждого байта в отдельности и более высокой скорости чтения, чем NAND. Но она более дорогая и примерно на 60% менее плотная, чем эквивалент NAND. Память NOR в основном встроена в такие устройства, как мобильные телефоны и небольшие бытовые приборы.

Технология NAND в настоящее время является основным типом флэш-памяти для твёрдотельных накопителей. От сотен до тысяч ячеек расположены на страницах, и в одном блоке есть несколько страниц (128 КБ+). Чип состоит из нескольких блоков. Для записи и стирания данных требуется степень управления блоками, и данные могут считываться только на странице, что делает её непригодным для произвольного доступа на уровне байтов, необходимых для ПЗУ, но отлично подходит для последовательного доступа. NAND обладает лучшей выносливостью, чем NOR (по сообщениям, до 10 раз) и более высокой скоростью записи и стирания благодаря тому, как данные организованы в блоки. И, конечно, другое существенное преимущество этой блочной архитектуры заключается в том, что NAND относительно дешёвая в изготовлении.

V-NAND или 3D V-NAND – это новейшая технология в мире флэш-памяти. Именно здесь плоские NAND (одиночные плоскости ячеек NAND) располагаются вертикально, придавая V в V-NAND. Из-за изменения вертикального расположения ячеек эти твердотельные накопители обладают большей ёмкостью при меньших производственных затратах, вдвое меньше энергозатрат, удвоенной скорости и десятикратной долговечности плоских NAND. Повышенная ёмкость позволила Samsung представить первый в мире твёрдотельный накопитель емкостью 2 ТБ на потребительском рынке в виде Samsung 850 Pro на базе SATA.