Компьютеры и Интернет
Для разработки компьютерной памяти, которая может хранить больше данных, чем динамическая память с произвольным доступом (DRAM), ученые разработали чип памяти, называемый резистивной оперативной памятью (RRAM). Общие типы памяти, такие как DRAM и Flash, используют электрическую плату для хранения данных, а RRAM использует сопротивление для хранения каждого бита информации. Сопротивление изменяется с использованием напряжения и, также будучи энергонезависимой памятью, данные остаются нетронутыми даже при отсутствии энергии.
Каждый компонент, участвующий в переключении, расположен между двумя электродами, а особенности микросхемы памяти являются субмикроскопическими. Для хранения данных в памяти RRAM необходимо очень маленькое приращение мощности. Хотя она обычно включает слой оксида металла и укупоривающий слой, существуют различные типы резистивной памяти, которые объединяют определенные виды материалов. Вид материала может повлиять на то, насколько долго будет время доступа к информации, насколько хорошо сохраняются данные и как долго будет длится работа памяти без сбоев. Сколько необходимо энергии, которая используется во время работы, также может влиять тип материала используемого для слоёв.
Один вид RRAM использует оксид титана, который является изолятором. Одна его часть смешивается с молекулами кислорода, которые могут перемещаться на другую сторону, если на барьер подается напряжение. Проводка может начинаться каждый раз с включенным состоянием переключателя. Когда молекулы кислорода возвращаются на другую сторону, память возвращается в состояние выключения. Для циклов включения и выключения требуются доли секунды.
Другой тип резистивных линий памяти – где оксид титана расположен в горизонтальные микроскопические полосы между проводящими проводами. Большинство видов памяти упорядочивают аналогичные компоненты в вертикальном расположении. Сопротивление можно контролировать на каждой отдельной полосе, и способность изменять сопротивление в разной степени могла бы создать обучающую способность для систем памяти. Компании электроники продолжают работать над разработкой концепций того, как будет работать память.
Фазовая память – это ещё один вид, который разрабатывается вместе с RRAM. Также называемая проводящим мостовым запоминающим устройством с произвольным доступом (CBRAM), она использует большое количество тепла для изменения свойств материала для состояний сопротивления, которые необходимо изменить. Некоторые производители электроники сосредотачивают внимание на RRAM как жизнеспособную замену памяти, такую как DRAM, которая настолько мала, насколько это возможно, для её эффективной работы.
